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日前，美国电脑芯片巨头英特尔旗下的“组件研究集团”对外公布了多项新技术，据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能，其中的一些技术准备将不同芯片进行堆叠处理。在美国旧金山举办的一次国际半导体会议上，该团队通过多篇论文公布了上述新技术。过去几年，在制造更小、更快速的芯片方面（所谓“X纳米芯片”），英特尔输给了中国台湾的台积电和韩国三星电子两大对手；如今，英特尔正在千方百计重新赢得芯片制造领域的领导者地位。此前，帕特·基辛格（Pat Gelsinger）担任英特尔信任首席执行官之后，推出一系列在2025年重新赢得优势地位的商业发展规划。而这一次该公司技术团队推出了一系列“技术性武器”，帮助英特尔在2025年后一直保持技术优势。据报道，传统的芯片制造都是在二维方向上，在特定面积内整合更多晶体管。英特尔技术团队提出了一个新的技术突破方向，那就是在三维方向上堆叠“小芯片”（或“芯片瓦”），从而在单位体积内整合更强大的晶体管和计算能力。该公司展示的技术显示，可以在相互叠加的小芯片上实现十倍于传统数量的通信连接管道，这也意味着未来小芯片一个叠加在另外一个“身上”的空间很广阔。半导体上最重要、最基本的组件是晶体管，它们相当于一个开关，代表数字逻辑体系的“1”或“0”状态。英特尔在这次大会上公布的一项可能是最重要的研究成果，正好展示了一种相互堆叠晶体管的新技术。英特尔技术团队表示，